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公开（公告）号CN123027657A | 申请号CN202611416556.8 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人山东大学 |
分类号C30B33/02(2006.01), C30B29/46(2006.01) | 申请日2026-09-11 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696775974300007 | 源数据页码191 |
专利语言zh | ||
本发明涉及中红外非线性光学硫系晶体的生长后处理技术领域，提供了一种改善Li2Ga2GeS6晶体质量的退火方法。本发明将Li2Ga2GeS6晶体和同质成分缓冲源物理分隔地封装于密闭容器中进行退火，退火过程中缓冲源能够释放Li、Ga、Ge、S气相组分，建立匹配LGGS晶体的多组元本征气氛，可同时调节硫空位、间隙硫及Li/Ga/Ge反位缺陷相关的组分偏离，稳定体系内全部组元的化学势，实现晶体内部组分均化，同时释放晶体生长引入的热应力，从而有效改善晶体质量。本发明的退火方法适用范围广，工艺窗口宽，便于在多温区管式炉中放大实施，具有广阔的应用前景。
附图 1