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公开（公告）号CN123033886A | 申请号CN202611146422.9 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人西安微电子技术研究所 |
分类号H01F38/00(2006.01), H01F27/24(2006.01), H01F27/28(2006.01), H01F27/34(2006.01), H01F41/02(2006.01), H01F41/04(2006.01), H01F27/32(2006.01), H01F41/12(2006.01) | 申请日2026-07-30 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696784226900009 | 源数据页码253 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种用于芯粒集成的磁心电感器及其制备方法，属于封装集成芯片技术领域。磁心电感器包括硅基底和至少一组三维磁电感器单元；三维磁电感器单元包含贯穿硅基底的三维绕组、包裹所述三维绕组的三维电感器磁心以及绝缘结构；三维绕组由设于硅基底正面的三维电感器正面绕组、设于硅基底背面的三维电感器背面绕组以及连通二者的三维电感器绕组通孔构成；绝缘结构包含绝缘层与有机介质层，绝缘层包覆硅基底、三维绕组与三维电感器磁心的接触面，所述有机介质层设于硅基底正面，隔离三维电感器正面绕组与硅基底。该电感器具有极小的尺寸，可作为独立器件与芯粒、转接板、PCB、封装基板集成，用于芯粒滤波、电压调控等，实现高能效芯片与电子系统。
附图 1