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公开（公告）号CN123035774A | 申请号CN202611303148.1 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人南开大学 |
分类号H10F71/00(2025.01), H10F77/12(2025.01), H10F77/169(2025.01), H10P70/00(2026.01) | 申请日2026-08-26 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696781959500000 | 源数据页码238 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种CIGSe薄膜及其表面处理方法和应用，属于薄膜太阳电池技术领域。本发明通过将CIGSe薄膜置于表面处理溶液中进行处理，使半胱胺盐酸盐在弱碱性条件下形成巯基及其去质子化形式，并与CIGSe薄膜表面的Cu2‑xSe二次相中的铜离子发生配位作用，形成可溶性络合物。该方法能够选择性去除CIGSe薄膜表面的Cu2‑xSe二次相，降低表面缺陷态密度，改善吸收层/缓冲层界面质量，从而提高CIGSe太阳电池性能。本发明工艺简单、成本低、重复性好，可应用于高效CIGSe薄膜太阳电池及叠层太阳电池的制备。
附图 1